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सरफेस माउंट वायर वाउंड चिप इंडक्टर स्वनिर्धारित इंडक्टेंस उत्कृष्ट एसआरएफ

चर्चा
MOQ
negotiable
कीमत
सरफेस माउंट वायर वाउंड चिप इंडक्टर स्वनिर्धारित इंडक्टेंस उत्कृष्ट एसआरएफ
विशेषताएं गेलरी उत्पाद विवरण एक बोली का अनुरोध
विशेषताएं
निर्दिष्टीकरण
वर्किंग आवृत्ति: उच्च आवृत्ति
आकार: 0402/0603/0805/1008/1210/1812
मैग्नेटाइज़र की संरचना: सिरेमिक या फेराइट
अधिष्ठापन: अनुकूलित
प्रकार: श्रीमती चिप प्रारंभ करनेवाला
आपरेटिंग तापमान: -40 ℃ से + 125 ℃
प्रमुखता देना:

चिप बिजली प्रारंभ करनेवाला

,

पतली फिल्म प्रारंभ करनेवाला

मूलभूत जानकारी
उत्पत्ति के प्लेस: चीन
ब्रांड नाम: Shinhom
प्रमाणन: RoHS
मॉडल संख्या: AISC श्रृंखला
भुगतान & नौवहन नियमों
पैकेजिंग विवरण: दफ़्ती
प्रसव के समय: 4 ~ 8 सप्ताह
भुगतान शर्तें: टी/टी
आपूर्ति की क्षमता: 1000000 / महीने
उत्पाद विवरण
एआईएससी सीरीज़ की सतह माउंटेड सिरेमिक चिप इंसट्रक्टर, एसएमडी वायर वाउंड सिरामिक चिप इंडक्टर, फेराइट कोर इनवर्टर वैकल्पिक है

विशेषताएं:

  • सिरेमिक कोर (फेराइट कोर वैकल्पिक)
  • उच्च आवृत्ति डिजाइन
  • उत्कृष्ट क्यू मान
  • बहुत बढ़िया एसआरएफ
  • उच्च विश्वसनीयता
  • उत्कृष्ट थर्मल स्थिरता
  • आकार 0402/0603/0805/1008/1210/1812

applcations:

  • मोडेम
  • मोबाइल रेडियो
  • ताररहित टेलीफोन
  • ग्लोबल पोजिशनिंग सिस्टम
  • दूरसंचार प्रणाली

तकनीकी जानकारी:

  • परीक्षण: (समकक्ष स्वीकार्य), lnductance: HP4191A, Q: HP4291A, SRF: HP8753B, RDC: @ 25 ℃ मापा
  • ऑपरेटिंग तापमान: सिरेमिक -40 ℃ से + 125 ℃
  • पैड मेटलाइजेशन: सोने की फ्लैश के साथ टंगस्टन-निकल
  • मिलाप विधियाँ: वेव, रीफ़्लो, वाष्प चरण
  • टांका: 10 सेकंड के लिए अधिकतम 260 ℃

आकार इंडक्शन की सीमा आकार (मिमी) एल * डब्ल्यू * एच
0402

1nH से 400nH (सिरेमिक कोर)

1.2 * 0.6 * 0.6
0603 1.6nH से 390nH (सिरेमिक कोर) 1,68 * 1,0 * 0,85
0805 2.2nH से 6.8uH (सिरेमिक कोर) 2.2 * 1.6 * 1.3
1008 3.9nH से 200nH (सिरेमिक कोर) 2.65 * 2.6 * 2.0
1210 3.9nH से 8.6uH (सिरेमिक कोर) 3.35 * 2.7 * 2.1
1210F 1.2uH से 470uH (फेराइट कोर) 3.35 * 2.7 * 2.1
1812F

1.0uH से 1000uH (फेराइट कोर)

4.56 * 3.25 * 3.0

नोट: उत्पाद का आकार और अधिष्ठापन अनुकूलित किया जा सकता है

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