नाम | हॉल इफेक्ट करंट सेंसर / सेंस ट्रांसफॉर्मर ट्रांसड्यूसर |
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चुंबकीय सर्किट संरचना | एकल चरण प्रकार |
वोल्टेज परिवर्तन सिद्धांत | विद्युतचुंबकीय प्रकार |
इंस्टालेशन | सक्रिय प्रकार |
मानक | आईईसी61010-1 |
मोड़ों | 800Ts |
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इंस्टालेशन | एसएमडी |
इन्सुलेशन वोल्टेज | 3000VAC |
आवृति सीमा | 1 मेगाहर्ट्ज तक |
सेंस्ड करंट | 250A . तक |
मोड़ों | 20 से 150Ts |
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इंस्टालेशन | एसएमडी |
इन्सुलेशन वोल्टेज | 1500Vac |
आवृति सीमा | 1 मेगाहर्ट्ज तक |
सेंस्ड करंट | अप करने के लिए 20A |
मोड़ों | 20 से 150Ts |
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इंस्टालेशन | एसएमडी |
इन्सुलेशन वोल्टेज | 1500Vac |
आवृति सीमा | 1 मेगाहर्ट्ज तक |
सेंस्ड करंट | अप करने के लिए 20A |
मोड़ों | 1:100,1:200,1:300,1:500 |
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इनपुट | 10:00 पूर्वाह्न |
उत्पादन | 20-100mA |
इंस्टालेशन | पीसीबी बढ़ते |
नाम | उच्च आवृत्ति वर्तमान ट्रांसफार्मर |
मोड़ों | 500, 1000, 2000 |
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आवृति सीमा | 20 हर्ट्ज ~ 400 हर्ट्ज |
विनिर्देश | आरओएचएस, सीई, एसजीएस |
एक्यूरेसी क्लास | 0.1, 0.2, 0.5 |
प्रमाणन | ISO9001:2015, ROHS |
अनुपात बदल जाता है | 1:50 1:100,1:150,1:200,1:300,1:500,1:1000 |
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मैक्स। इनपुट | 25ए |
कैप्सूलीकरण | epoxy |
इंस्टालेशन | पीसीबी बढ़ते |
इन्सुलेशन वोल्टेज | 4000V, 1mA, 60S |
मोड़ों | 1:50, 1:100, 1:200 और 1:300, 1:50CT, 1:100CT, 1:200CT, 1:300CT |
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आवृत्ति सीमा | 1kHz से 1MHz |
हाय-बर्तन | 4000V, 1mA, 60S |
भीतरी छेद | 4.5 mm |
तापमान सीमा | 0℃ से +85℃ |
मोड़ों | 1:50, 1:100, 1:200 और 1:300, 1:50CT, 1:100CT, 1:200CT, 1:300CT |
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आवृत्ति सीमा | 1kHz से 1MHz |
हाय-बर्तन | 2000V, 1mA, 60S |
भीतरी छेद | 4.5 mm |
तापमान सीमा | 0℃ से +85℃ |
मोड़ों | 1:50,1:100,1:150 |
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इनपुट | 5-20ए |
उत्पादन | 33-400mA |
इंस्टालेशन | पीसीबी बढ़ते |
आवृत्ति सीमा | 1 किलोहर्ट्ज़ ~ 1 मेगाहर्ट्ज |