IGBT के लिए गेट ड्राइव ट्रांसफार्मर उच्च आवृत्ति ट्रांसफार्मर
आधुनिक परिवर्तनीय आवृत्ति ड्राइव (वीएफडी) में आवृत्ति रूपांतरण के लिए इन्वर्टर चरण में आईजीबीटी का उपयोग किया जाता है। संबंधित गेट ड्राइवर सर्किट को स्विचिंग के लिए आवश्यक शक्ति की आपूर्ति करने की आवश्यकता होती है।मध्यम से उच्च शक्ति अनुप्रयोगों में DC/DC कनवर्टर आमतौर पर इस उद्देश्य के लिए उपयोग किए जाते हैं.
आईजीबीटी के लिए गेट ड्राइव ट्रांसफार्मर इन कन्वर्टर्स में मुख्य तत्व हैं जो मध्यवर्ती सर्किट और निम्न वोल्टेज नियंत्रण पक्ष के बीच सुरक्षित गैल्वानिक पृथक्करण को बनाए रखते हैं।
नैनोक्रिस्टलाइन से बने टोरोइडल कोर का उपयोग करके बहुमूल्य पीसीबी स्थान की बचत करते हुए अत्यंत कॉम्पैक्ट आवरणों में आवश्यक स्विचिंग शक्ति को प्रसारित करना संभव है।उन्नत इन्सुलेशन और वाइंडिंग अवधारणाएं उच्चतम कोरोना विलुप्त होने वाले वोल्टेज के साथ-साथ कम युग्मन क्षमताओं को सुनिश्चित करती हैं.
500 वी और 1200 वी के बीच के विशिष्ट कार्यरत वोल्टेज के लिए एक बड़ा पोर्टफोलियो उपलब्ध है।
विशेषताएं:
·कम युग्मन क्षमता
·उच्च इन्सुलेशन शक्ति (प्रबलित इन्सुलेशन)
·बहुत उच्च कोरोना विलुप्त होने का वोल्टेज
·THT और SMT घोंसले में कॉम्पैक्ट डिजाइन
·प्रचालन तापमान सीमाः -40°C से +105°C
·भंडारण तापमान सीमाः -40°C से +105°C
हमारे बारे में:
शिनहोम एंटरप्राइज की स्थापना शीआन चीन में ट्रांसफार्मर और कॉइल घटकों के डिजाइन और निर्माण के लगभग 20 वर्षों के अनुभव के साथ की गई थी।
उच्च गुणवत्ता, कम लागत और सर्वोत्तम सेवा ही हम सबसे अधिक चाहते हैं!
इस बीच, एसजीएस प्रणाली द्वारा आईएसओ 9001 का प्रमाणन भी अर्जित किया गया।
शिनहोम दुनिया भर के खरीदारों के लिए उच्च-प्रदर्शन वाले ट्रांसफार्मर, पावर इंडक्टर्स, स्ट्रोक कॉइल्स और बिजली आपूर्ति के डिजाइन और निर्माण में विशेषज्ञ बने रहेगा।
