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शील्डड वायर वॉल चिप इंड्यूक्टर AISC0402C सीरीज़ वायर-वॉल निर्माण और चुंबकीय रूप से शील्ड डिजाइन के साथ 0402 कॉम्पैक्ट पैकेज में

शील्डड वायर वॉल चिप इंड्यूक्टर AISC0402C सीरीज़ वायर-वॉल निर्माण और चुंबकीय रूप से शील्ड डिजाइन के साथ 0402 कॉम्पैक्ट पैकेज में

MOQ: 5000
प्रमुखता देना

तार घाव निर्माण शील्ड तार घाव चिप प्रेरक

,

चुंबकीय ढाल डिजाइन AISC0402C श्रृंखला

,

0402 कॉम्पैक्ट पैकेज डुप पावर इंडक्टर

प्रसव के समय 2~8सप्ताह
भुगतान शर्तें एल/सी,टी/टी
उत्पत्ति के प्लेस चीन
ब्रांड नाम SHINHOM
हाई करंट डीआर पावर एसएमडी शील्डेड इंडक्टर सरफेस माउंट

हाई करंट डीआर पावर एसएमडी शील्डेड इंडक्टर सरफेस माउंट

कीमत: बातचीत योग्य MOQ: 5000PCS
ऑपरेशन की प्रकृति SMD पावर प्रारंभ करनेवाला
प्रकार शील्ड इंडक्टर
इंडक्शन रेंज 0.47uH से 330uH
वर्तमान श्रृंखला 0.38 ए से 13.8 ए
परिचालन तापमान -40 ℃ से 85 ℃
मैग्नेटिक एपॉक्सी एसएमटी हाई करंट एसएमडी शील्ड इंडक्टर्स

मैग्नेटिक एपॉक्सी एसएमटी हाई करंट एसएमडी शील्ड इंडक्टर्स

कीमत: बातचीत योग्य MOQ: 5000PCS
ऑपरेशन की प्रकृति SMD पावर प्रारंभ करनेवाला
प्रकार शील्ड इंडक्टर
इंडक्शन रेंज 0.47uH से 330uH
वर्तमान श्रृंखला 0.38 ए से 13.8 ए
परिचालन तापमान -40 ℃ से 85 ℃
वायरलेस संचार और जीपीएस के लिए एआईएससी सीरीज एसएमडी वायर वाउंड सिरेमिक चिप इंडक्टर हाई क्यू हाई एसआरएफ

वायरलेस संचार और जीपीएस के लिए एआईएससी सीरीज एसएमडी वायर वाउंड सिरेमिक चिप इंडक्टर हाई क्यू हाई एसआरएफ

कीमत: बातचीत योग्य MOQ: बातचीत
कार्य आवृत्ति उच्च आवृत्ति
आकार 0402/0603/0805/1008/1210/1812
मैग्नेटाइज़र की संरचना सिरेमिक या फेराइट
अधिष्ठापन स्वनिर्धारित
प्रकार श्रीमती चिप प्रारंभ करनेवाला
ज़ीरो मैग्नेटिक फ्लक्स कोर के साथ एसएमबी टाइप बीड इंडेक्टर सरफेस माउंटेड

ज़ीरो मैग्नेटिक फ्लक्स कोर के साथ एसएमबी टाइप बीड इंडेक्टर सरफेस माउंटेड

कीमत: बातचीत योग्य MOQ: 5000PCS
आकार 5.6 * 5.8 * 3.8 मिमी
बदल जाता है 2 * 1TS
सामग्री NiZn
आवेदन की स्थिति ईएमसी / ईएमआई
मुक़ाबला 25 मिन। @ 100MHz
चुंबकीय रूप से आश्रित एसएमडी चिप इंडक्टर और फेराइट बीड EMI/RFI फ़िल्टरिंग के लिए 1μH100μH इंडक्टेंसी के साथ

चुंबकीय रूप से आश्रित एसएमडी चिप इंडक्टर और फेराइट बीड EMI/RFI फ़िल्टरिंग के लिए 1μH100μH इंडक्टेंसी के साथ

MOQ: 5000
पैकेज का आकार 0402 / 0603 / 0805 / 1008 / 1206
निरंकुशता सीमा 1µH से 100µH
सहनशीलता ± 20%
परीक्षण स्थिति 100kHz, 0.1Vrms
परिचालन तापमान -40 ° C से +105 ° C
SMD सिरेमिक बेस फेराइट DR चिप इंडक्टर Unshielded

SMD सिरेमिक बेस फेराइट DR चिप इंडक्टर Unshielded

कीमत: बातचीत योग्य MOQ: 5000PCS
परिरक्षण नहीं
मूलभूत सामग्री सिरेमिक बेस
कोर फेराइट डीआर / आरआई कोर
पैकिंग रील
भंडारण तापमान -40 से + 125 ℃
कम प्रोफाइल एसएमडी इंडक्टर 1 से 1,200 एनएच इंडक्टेंस और कॉम्पैक्ट पीसीबी लेआउट के लिए बड़ी वर्तमान क्षमता के साथ

कम प्रोफाइल एसएमडी इंडक्टर 1 से 1,200 एनएच इंडक्टेंस और कॉम्पैक्ट पीसीबी लेआउट के लिए बड़ी वर्तमान क्षमता के साथ

MOQ: 5000
निरंकुशता सीमा 1 से 1,200 एनएच
वर्तमान क्षमता बड़ा
प्रोफ़ाइल डिज़ाइन निम्न प्रोफ़ाइल
परिचालन तापमान -20 से 85 डिग्री सेल्सियस
इन्सुलेशन प्रतिरोध >100 एमए
कम प्रोफ़ाइल एसएमडी शील्ड इंडक्टर SDRH6025/6028 सीरीज़ पावर मैनेजमेंट के लिए हाई करंट लो डीसीआर

कम प्रोफ़ाइल एसएमडी शील्ड इंडक्टर SDRH6025/6028 सीरीज़ पावर मैनेजमेंट के लिए हाई करंट लो डीसीआर

कीमत: बातचीत योग्य MOQ: 5000 पीसी
अधिष्ठापन 1.0 से 100uH
तक वर्तमान 2.7ए
आधार एसएमडी प्लास्टिक बेस
पैड का आकार 6.3*6.3 मिमी
परिचालन तापमान -40 से 105 डिग्री सेल्सियस
Compact AC DC Power Module With Wide Input Voltage Range And Short Circuit

Compact AC DC Power Module With Wide Input Voltage Range And Short Circuit

MOQ: 5000
मूल्यांकित शक्ति 1W से 40W
इनपुट वोल्टेज रेंज 3VAC,5VAC,9VAC,12VAC,15VAC,24VAC
आउटपुट वोल्टेज रेंज 3VAC,5VAC,9VAC,12VAC,15VAC,24VAC
स्टैंडबाय बिजली की खपत <0.3 डब्ल्यू
विशिष्ट दक्षता > 75%
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