| परिचालन आवृत्ति | मॉडल-निर्भर, उच्च-आवृत्ति सिग्नल रूपांतरण के लिए अनुकूलित। |
|---|---|
| इन्सुलेशन | न्यूनतम विरूपण के लिए फेराइट कोर के साथ इंसुलेटेड वाइंडिंग। |
| भंडारण तापमान | -40 ° C से +85 ° C। |
| मुख्य सामग्री | फेराइट |
| परिचालन तापमान | -40 ° C से +85 ° C। |
| प्रोडक्ट का नाम | गेट ड्राइव ट्रांसफार्मर |
|---|---|
| इंस्टालेशन | एसएमडी |
| मुख्य सामग्री | फेराइट |
| विशेषता | AEC-Q200 और IATF16949 के अनुरूप है |
| पोटिंग सामग्री | एपॉक्सी पोटिंग |
| प्रयोग | उच्च आवृत्ति |
|---|---|
| कोर | E65 * 2PRS |
| मुख्य सामग्री | फेरेट कोर |
| appication | वेल्डिंग मशीन |
| प्रमाणन | RoHS/SGS/ISO9001 |
| सिग्नल चैनल | सटीक दो-तरफा सिग्नल रूपांतरण के लिए डुअल-चैनल। |
|---|---|
| अधिष्ठापन | मॉडल-निर्भर: उच्च परिशुद्धता सिग्नल प्रोसेसिंग के लिए अनुकूलित। |
| डीसी प्रतिरोध | बिजली हानि को कम करने और कुशल सिग्नल रूपांतरण सुनिश्चित करने के लिए कम डीसी प्रतिरोध। |
| मुख्य सामग्री | फेराइट कोर: इसकी उच्च चुंबकीय पारगम्यता और कम कोर हानि के लिए चुना गया। |
| परिचालन तापमान | -40°C से +85°C: तापमान की एक विस्तृत श्रृंखला में उपयोग के लिए उपयुक्त। |
| बदल जाता है | 1: 50,1: 100,1: 200,1: 300 |
|---|---|
| आवृत्ति सीमा | 10kHz से 1MHz |
| विशिष्टता | ROHS, CE, एसजीएस |
| अलगाव वोल्टेज | 3750 वी |
| encapsulation | epoxy |
| आउटपुट वोल्टेज | 22KV मिन। |
|---|---|
| प्रकार | उच्च वोल्टेज इग्निशन का तार |
| उपयोग | उच्च आवृत्ति |
| आकार | 35 * 23 * 20 मिमी |
| अनुपात बदल जाता है | 200: 1 |
| कोर सामग्री | फेराइट कोर R10 * 50 |
|---|---|
| आउटपुट वोल्टेज | 15KV |
| प्रकार | उच्च वोल्टेज इग्निशन का तार |
| उपयोग | उच्च आवृत्ति |
| आकार | 53 * 26 * 26mm |
| कोर सामग्री | फेराइट कोर R9 * 22 |
|---|---|
| आउटपुट वोल्टेज | 4.0KV |
| प्रकार | उच्च वोल्टेज इग्निशन का तार |
| उपयोग | उच्च आवृत्ति |
| इनपुट वोल्टेज | 12V |
| चरण | एक |
|---|---|
| अधिष्ठापन | 350uH, 8mA |
| विशिष्टता | 10/100 / 1000base-t एकल पोर्ट |
| परिवहन पैकेज | टेप और रील |
| आवृत्ति लक्षण | उच्च आवृत्ति |
| अवस्था | एकल |
|---|---|
| कोर का आकार | अंगूठी |
| विनिर्देश | 10 / 100base-t सिंगल पोर्ट |
| परिवहन पैकेज | टेप और रील |
| आवृत्ति लक्षण | उच्च आवृत्ति |
