कार्य आवृत्ति | उच्च आवृत्ति |
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आकार | 2.5*2.0*1.8mm |
अधिष्ठापन | 10एनएच से 100यूएच |
प्रकार | एसएमडी चिप प्रारंभ करनेवाला |
परिचालन तापमान | -40℃ से +105℃ |
स्थापना | श्रीमती |
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आकार | 1.6 * 0.8 * 0.8 मिमी |
आवेदन | संचार उपकरण, सेल फोन, जीपीएस, पीडीए |
अधिष्ठापन | 47nH से 33uH |
प्रकार | चिप प्रारंभ करनेवाला |
ऑपरेशन की प्रकृति | SMD पावर प्रारंभ करनेवाला |
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अधिष्ठापन | 0.22uH से 100 uH |
DCR | 1.5 मी 1.5 से 111.5 मीΩ |
मूल्यांकन वर्तमान | 3 ए से 45 ए |
परिचालन तापमान | -40 ℃ से + 105 ℃ |
ऑपरेशन की प्रकृति | SMD पावर प्रारंभ करनेवाला |
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आकार | 0420 ~ 2313 वैकल्पिक |
DCR | 1 mΩ जितना कम है |
मूल्यांकन वर्तमान | 60A तक |
परिचालन तापमान | -40 ℃ से + 105 ℃ |
अधिष्ठापन | 0.47uH से 100uH |
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सहिष्णुता | कश्मीर, एम, एन |
परीक्षण आवृत्ति | 100KHz, 0.25V |
प्रकार | निश्चित इंडक्टर |
घुमावदार की संरचना | सिंगल क्वायल |
स्थापना | श्रीमती |
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आकार | 2.0 * 1.25 * 0.8 मिमी |
आवेदन | सीडी-रोम, हार्ड डिस्क, मोडेम, प्रिंटर |
अधिष्ठापन | 47nH से 82uH |
प्रकार | चिप प्रारंभ करनेवाला |
वर्किंग आवृत्ति | उच्च आवृत्ति |
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आकार | 3.2 * 2.2 * 2.5 मिमी |
अधिष्ठापन | 120nH से 470uH |
प्रकार | SMD चिप प्रारंभ करनेवाला |
आपरेटिंग तापमान | -40 ℃ से + 105 ℃ |
स्थापना | श्रीमती |
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आकार | 3.2 * 2.5 * 1.3 मिमी |
आवेदन | पोर्टेबल उपकरण |
अधिष्ठापन | 47nH से 18uH |
प्रकार | SMD चिप प्रारंभ करनेवाला |
वर्किंग आवृत्ति | उच्च आवृत्ति |
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आकार | 0402/0603/0805/1008/1210/1812 |
मैग्नेटाइज़र की संरचना | सिरेमिक या फेराइट |
अधिष्ठापन | अनुकूलित |
प्रकार | श्रीमती चिप प्रारंभ करनेवाला |
अधिष्ठापन | 1uH से 1200uH |
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स्थापना | श्रीमती |
घुमावदार की संरचना | बहुपरत कोइल |
पैकेज | टेप रील |
आपरेटिंग तापमान | -40 ℃ से 85 ℃ |