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चुंबकीय रूप से आश्रित एसएमडी चिप इंडक्टर और फेराइट बीड EMI/RFI फ़िल्टरिंग के लिए 1μH100μH इंडक्टेंसी के साथ

चुंबकीय रूप से आश्रित एसएमडी चिप इंडक्टर और फेराइट बीड EMI/RFI फ़िल्टरिंग के लिए 1μH100μH इंडक्टेंसी के साथ

MOQ: 5000
पैकेज का आकार 0402 / 0603 / 0805 / 1008 / 1206
निरंकुशता सीमा 1µH से 100µH
सहनशीलता ± 20%
परीक्षण स्थिति 100kHz, 0.1Vrms
परिचालन तापमान -40 ° C से +105 ° C
RM14 फेराइट कोर हाई फ्रीक्वेंसी ट्रांसफार्मर स्विच मोड

RM14 फेराइट कोर हाई फ्रीक्वेंसी ट्रांसफार्मर स्विच मोड

कीमत: बातचीत योग्य MOQ: मोल भाव
मुख्य सामग्री RM14 फेराइट कोर
कार्यकारी आवृति 10 ~ 500KHZ
परिचालन तापमान -40 ℃ से + 125 ℃
भंडारण तापमान -25 ℃ से + 85 ℃
कम नुकसान, बड़ी संचरण शक्ति, कम तापमान वृद्धि, स्थिर प्रदर्शन सामग्री फेर्री क्षैतिज, ऊर्ध्वाधर, एसएमडी
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